東芝セミコンダクターが、第三世代SSDとして、32nmプロセス技術を採用した「HG3シリーズ」を発表しています。

43nmプロセス技術のNAND型フラッシュメモリを採用していた「HG2シリーズ」に比べ、「HG3シリーズ」では、32nmプロセス技術を採用することで動作時の消費電力を最大で約17%削減しているそうです。

また、コントローラの制御方法を改善することで待機時の消費電力が約1/3になり、エネルギー消費効率は3.1倍にアップしたと説明しています。

なお、512GBの「THNS512GG8BB」の最大データ転送速度はリード240MB/sec、ライト200MB/secだったのに対し、新しい512GBの「THNSNC512GBSJ」は、最大データ転送速度はリード220MB/sec、ライト180MB/secと約１割りほど性能が低下しています。


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